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安机图1.（a）器件结构示意图和（b）器件光学照片图。图2.V掺杂（a，关共b）单层和（c，d）双层MoS2的能带结构，态密度和带边电荷分布。

在实验中，立各类经研究团队首先利用MoO3和V2O5之间的固相反应制备出了Mo6V9040，作为钒（V）掺杂MoS2的前驱体。济犯件该工作有望为层间相互作用调控研究提供一种新思路。这些态激活了S-3pz轨道，罪案使其形成能够贡献导电的价带边电子态。

物理学院博士生张利利和南方科技大学博士生王刚及张玉波博士为论文共同第一作者，年山缪峰教授、年山梁世军副研究员和南方科技大学物理系林君浩副教授为该工作的共同通讯作者，该工作同时得到了南京大学万贤纲教授课题组和南方科技大学张文清教授的帮助，和国家杰出青年科学基金、国家自然科学基金等项目的资助，以及微结构科学与技术协同创新中心的支持。不同于单层情况，安机V掺杂在双层MoS2的价带顶附近引入了大量间隙态（gap states）。

这些面外的S-3pz轨道不仅在能量上有较大的展宽，关共在实空间中也得到了极大的扩展，形成了额外的层间导电通道，大幅增强了其电导率。

立各类经然后利用化学气相沉积法（CVD）批量合成双层V掺杂MoS2样品。司宏国对XR设备的前景表示看好：济犯件我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。

注：罪案三星、罪案高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，年山关于合作目前不能透露细节，年山但我们确实在与三星电子、LG电子合作。

司宏国表示，安机LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。此外，关共LG还表示当前正在开发智能眼镜。